ПРИБОРЫ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ
ГЕОДЕЗИЧЕСКОЕ И СТРОИТЕЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ

График работы: с пн-пт. 8:00-17:00 (МСК)

меню

Двухлучевой микроскоп Helios Nanolab


Производство: FEI Ltd., США
Наличие на складе: уточняйте у менеджера

В связи с большими колебаниями курсов валют цены на сайте не являются актуальными. За информацией просьба обращаться по телефону 8 (800) 505-13-75 или по эл. почте info@t-ndt.ru


В двухлучевой системе Helios реализованы новейшие достижения в области автоэмиссионных SEM (FESEM), фокусированного ионного пучка (FIB) и совместного использования этих технологий. Helios NanoLab специально разрабатывался как инструмент, позволяющий максимально широко использовать возможности сверхвысокого разрешения (XHR) при выполнении 2D- и 3D-анализа, создании нанопрототипов и подготовке образцов высочайшего качества. Технология Elstar™ FESEM обеспечивает наилучшую детализацию в нанометровом диапазоне в самых разных рабочих режимах: точность значительно ниже 1 нм достигается как при 30 кВ в режиме STEM для получения информации о структуре, так и при 500 В для беззарядного получения детальных данных о поверхности. Предусмотрена тройная система детектирования внутри колонны и режим иммерсии, которые могут использоваться одновременно для формирования изображений SE и BSE (вторичных и обратноотражённых электронов) в зависимости от угла и энергии пучка.

Отличительные особенности:

  • Электронная пушка Elstar, в том числе:
    • Термополевой эмиттер Шоттки
    • Возможность переключения между режимами без нарушения вакуума
    • Технология UC (монохроматор)
  • Диапазон энергии пучка у поверхности образца 20 В – 30 кВ
  • 60° объектив с двумя линзами с защитой полюсного наконечника
  • Нагреваемые апертуры объектива
  • Электростатическое сканирование
  • Технология линзы с постоянной мощностью ConstantPower™
  • Торможение пучка с подачей потенциала на предметный столик от 0 В до –4 кВ
  • Интегрированная функция быстрого гашения (бланкера) пучка*
  • Ионная колонна Tomahawk
  • Превосходные характеристики при работе на высоком токе с макс. током пучка до 65 нА
  • Диапазон ускоряющего напряжения 500 В – 30 кВ 
  • Двухступенчатая дифференциальная откачка
  • Времяпролётная коррекция (TOF)
  • 15 апертур
  • Срок службы источника
    • Срок службы источника электронов: 12 месяцев
    • Срок службы источника ионов: гарантия 1000 часов
  • Разрешение ионного пучка в точке пересечения 
    • 4,0 нм при 30 кВ с использованием предпочтительного статистического метода
    • 2,5 нм при 30 кВ с использованием 
  • Максимальная ширина горизонтального поля 
    • Электронный пучок: 2,3 мм в точке совпадения пучка (рабочее расстояние 4 мм)
    • Ионный пучок: 0,9 мм при 8 кВ в точке совпадения пучка
  • Ток зонда
    • Электронный пучок: от 0,8 пA до 22 нА (CX); от 0,8 пA до 100 нА (UC)
    • Ионный пучок: 0,1 пA – 65 нA (апертурная полоса с 15 положениями)
  • Прибор
  • Инструкция

Внимание! Производитель оставляет за собой право изменить комплект поставки.

Характеристики электронной пушки

Для UC на оптимальной рабочей дистанции
- 0.6 нм at 30 кВ STEM
- 0.7 нм at 1 кВ
- 1.0 нм at 500В (ICD)  
· В точке пересечения:
- 0.6 нм at 15 кВ
- 1.2 нм at 1 кВ
Для CX на оптимальной рабочей дистанции
- 0.7 нм at 30 кВ STEM
- 0.8 нм at 15 кВ
- 1.4 нм at 1 кВ 
· В точке пересечения:
- 0.8 нм at 15 кВ
- 2.5 нм at 1 кВ

Предметный столик

Вцентрический гониометрический высокоточный моторизованный по 5 осям предметный столик
Перемещение в плоскости XY: 110x110 мм (150x150 UC)
Воспроизводимость результатов: < 2,0 мкм (при наклоне 0°)
Моторизованное перемещение по оси Z: 65 мм (10 мм UC)
Поворот: n x 360°
Наклон: -15° / +75° (-10° … +60° UC)
Максимальная высота образца: Расстояние 85 мм до точки Вцентрика (55 мм UC)
Максимальный вес образца: 500 г при любом положении предметного столика (до 2 кг при наклоне 0°)
Максимальный размер образца: Ø150 мм при полном вращении (для образцов большего размера вращение ограничено)

Рабочая камера

• Точка схождения ионного и электронного пучков на аналитическом рабочем расстоянии (4 мм SEM)
• Угол между колоннами ионов и электронов: 52°
• 21 порт
• Размер по горизонтали: 379 мм

Детекторы

• Внутрилинзовый SE/BSE детектор Elstar (TLD-SE, TLD-BSE)
• SE-детектор Elstar в колонне (ICD)
• ВSE-детектор Elstar в колонне (MD)
• Детектор Венхарда — Торнли SE (ETD)
• ИК-камера для контроля изображения образца/колонны
• Встроенная в камеру Nav-Cam+™ *
• Высокоэффективный детектор конверсии ионов и электронов (ICE) для вторичных ионов (SI) и электронов (SE)*.
• Выдвижной низковольтный высококонтрастный твердотельный детектор обратноотражённых электронов (DBS) *
• Выдвижной STEM детектор с сегментами BF/DF/HAADF*
• Интегрированные измерения тока пучка

Вакуумная система

• 1 x 210 л/с турбомолекулярный насос
• 1 × PVP (сухой насос)
• 4 × IGP (всего для электронной колонны и ионной колонны).
• Вакуум в камере: < 2,6 * 10-6 мбар (через 24 часа откачки)

Дополнительные аналитические возможности

• Анализ: EDS, EBSD, WDS, катодолюминесценция и спектроскопия
• QuickLoader™: загрузочный шлюз для быстрого переноса образца
• Модуль Electron Beam Lithography: комплекты компаний Raith, Nabity или других поставщиков
• Решение для работы при низких температурах для двухлучевой технологии DualBeam
- Эксклюзивная технология компании FEI CryoMAT для исследования материалов при низких температурах
- Решения от внешних поставщиков
• GIS (система инжекции газа) – решения:
- Простая GIS: до 5 независимых устройств для расширенного травления или осаждения
- MultiChem™: до 6 устройств инжекции в одном блоке для усовершенствованного травления или осаждения
• GIS – опции химического воздействия**
- Осаждение платины
- Осаждение вольфрама
- Осаждение углерода
- Осаждение изоляционного материала II
- Осаждение золота
- Расширенная функция травления Etch™ (иод, запатентовано)
- Расширенная функция травления изоляционного материала (XeF2)
- Формирование изображения по технологии Etch™ (запатентовано)
- Селективное травление углерода (запатентовано)
- Пустые тигли для согласованных с FEI материалов, поставляемых пользователем
- По заказу возможны другие средства химического воздействия с помощью электронного пучка

Управление системой

• 64-битный графический интерфейс пользователя с Windows 7, клавиатура, оптическая мышь
• До пяти «живых» изображений, независимо показывающих пучки и/или сигнал с разных детекторов. Микширование цветовых сигналов
• Два 24-дюймовых широкоэкранных монитора (1920×1200 пикселей) для отображения системного графического пользовательского интерфейса и полноэкранного изображения
• Для управления микроскопом и вспомогательным ПК достаточно одной клавиатуры и мыши
•  Джойстик*
• Мультифункциональная панель управления*
•  Дистанционное управление*

Получение изображений

• Время выполнения операции 0,025–25 000 мкс/пиксель
• До 6144 x 4096 пикселей
• Тип файла: TIFF (8, 16, 24-битный), BMP или JPEG
• Однокадровое изображение или изображение в четырёх квадрантах
• SmartSCAN™ (256 кадров усреднения или накопления, линейного интегрирования и усреднения, чересстрочной развёртки) и DCFI (интегрирование кадра с компенсацией смещения)

Доступные программные функции

Пакет AutoFIB™ для автоматизации работы двулучевой системы DualBeam на базе макросов и скриптов
• iFast для повышения уровня автоматизации двулучевой системы DualBeam
• MAPS™ для автоматического получения больших изображений
• Мастер AutoTEM™ для автоматизированной подготовки образцов и поперечного сечения
• NanoBuilder™ — усовершенствованное приложение на основе (GDSII) решений CAD для нанопрототипирования с помощью FIB и лучевого осаждения сложных структур
• Auto Slice & View™: автоматизированная ионная резка и просмотр для сбора серий срезов для трёхмерной реконструкции
• EBS3™: автоматизированная ионная резка и получение EBSD-карт для сбора серий текстурных или ориентационных карт для трёхмерной реконструкции
• EDS3™: автоматизированная ионная резка и получение EDS-данных для сбора серий химических карт для трёхмерной реконструкции
• Программное обеспечение трёхмерной реконструкции
• Навигация Knights Technology CAD
• Программное обеспечение доступа к веб-архиву д

Системные опции

Источник ионов - плазменная пушка ПФИП
-- Используются ионы Xe+ , время работы источника  >4000 часов
-- Сила тока плазменного пучка от 1.5пА да 1.3 мА
Напряжение:
-- 2 кВ - 30 кВ ПФИП
• Звукоизолирующий корпус FEI 
• Встроенная система плазменной очистки
• FEI CryoCleaner*
• Манипуляторы:
- Запатентованная система локального подъёма образца FEI EasyLift™ + Hitachi In Situ (или другие манипуляторы) для подготовки тонких образцов
- По заказу доступны другие манипуляторы
• Нейтрализатор заряда пучка FIB

Требования по установке

 Частота 50 или 60 Гц +/- 1%
• Потребляемая мощность: <3,0 кВА в базовой комплектации
• Сопротивление заземления: <0,1 Ом
• Окружающая среда:
- температура 20 °C ± 3 °C
- относительная влажность менее 80%, 20 °C
- магнитные поля рассеяния по переменному току: асинхронные<200 нT, синхронные < 600 нT синхронные для времени передачи данных > 20 мс (сеть питания 50 Гц) или > 17 мс (сеть питания 60 Гц)
• Рекомендуемая ширина x высота дверного проёма: 
0,9 м × 2,0 м.
• Вес: консоль колонны 950 кг
• Сухой азот
• Сжатый воздух: 4–6 бар — чистый, сухой, безмасляный
• Охладитель системы
• Уровень шума: требуется обследование места установки, поскольку должен учитываться акустический спектр
• Виброизоляционный стол поставляется по дополнительному заказу

Внимание! Технические характеристики могут быть изменены производителем без предварительного уведомления.

Отзывы на данный товар отсутствуют. Ваш отзыв может стать первым.

^